Компания Elpida Memory начала поставки образцов новых модулей памяти DDR3 SO-DIMM емкостью 4 ГБ, созданных с использованием 16 микросхем DRAM, которые изготовлены по нормам 30 нм техпроцесса. При этом плотность данных чипов составляет 2 Гбит, их рабочая частота равняется 1866 МГц, а благодаря применению "тонкой” производственной технологии удалось заметно повысить их энергоэффективность по сравнению с 40 нм микросхемами DRAM от того же производителя.

Сообщается, что потребляемый 30 нм чипами DRAM ток на 20 процентов меньше в рабочем режиме, а в режиме простоя этот показатель на 30 процентов ниже по сравнению с продукцией Elpida предыдущего поколения. Таким образом, новые модули позволят за счет снижения энергопотребления увеличить ресурс автономной работы ноутбуков, нетбуков и другой мобильной электроники. Добавим, что японский производитель планирует приступить к серийному выпуску новых модулей DDR3 SO-DIMM емкостью 4 ГБ, построенных на основе 30 нм микросхем DRAM, в первом квартале будущего года.