Компания Samsung начала массовое производство чипов памяти формата GDDR6. Именно эти чипы будут устанавливаться в видеокартах следующего поколения, консолях и других устройствах, где необходима высокая пропускная способность.

Эти чипы производятся по 10-нм техпроцессу с объемом 16 гигабит. Это заметный шаг вперед по сравнению с 20-нм 8 гигабитными GDDR5-чипами Samsung, которые начали производиться и вошли в широкий обиход еще в 2014 году. Производителям удалось добиться уменьшения энергопотребления - 1,35 В против 1,55 В.

Система с 384-битной шиной памяти может достигать пропускной способности 864 ГБ/с, превосходя память HBM2, которая используется в некоторых high-end видеокартах. Что касается 256-битной шины, она обладает пропускной способностью в 576 ГБ/с, а это превосходит нынешние 384-битные решения с чипами GDDR5.