По словам южнокорейской компании Samsung Electronics, ей первой в отрасли удалось создать модули оперативной памяти DDR4, используя микросхемы, изготовленные по технологии 30-нанометрового класса.

Модули способны передавать данные со скоростью до 2,133 Гбит/с при напряжении питания 1,2 В. Напомним, модули, в которых используется память типа DDR3, изготовленная по технологии 30-нанометрового класса и рассчитанная на напряжение питания 1,35 или 1,5 В, развивают скорость до 1,6 Гбит/с.

По оценке производителя, новые модули потребляют на 40% меньше электроэнергии, чем модули типа DDR3, рассчитанные на напряжение 1,5 В. Все дело в том, что помимо пониженного напряжения питания есть еще один источник экономии. В модулях применена технология Pseudo Open Drain (POD), позволившая вдвое уменьшить потребляемый ток по сравнению с модулями типа DDR3 в режимах чтения и записи.

Применение новой архитектуры позволило увеличить максимальную скорость передачи до 3,2 Гбит/с. Типичная скорость памяти DDR3 равна 1,6 Гбит/с, а DDR2 — 800 Мбит/с.

В конце прошлого месяца ознакомительные образцы модулей DDR4 объемом 2 ГБ, рассчитанных на напряжение 1,2 В, были направлены разработчику контроллеров. Во второй половине года Samsung планирует в сотрудничестве с производителями серверов завершить стандартизацию DDR4 организацией JEDEC.